RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
65
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
51
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2387
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link