RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
65
Rund um -67% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.8
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
8.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
7.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
2083
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link