RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
65
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
8.8
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
39
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
8.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2083
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link