RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
65
Rund um -97% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
12.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
3082
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link