RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
65
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3082
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Inmos + 256MB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link