Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Super Talent F24UB16GV 16GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Gesamtnote
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Super Talent F24UB16GV 16GB

Super Talent F24UB16GV 16GB

Unterschiede

  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 16
    Durchschnittswert bei den Tests
Super Talent F24UB16GV 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Super Talent F24UB16GV 16GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    24 left arrow 65
    Rund um -171% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.0 left arrow 1,592.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 5300
    Rund um 3.62 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    65 left arrow 24
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,580.8 left arrow 16.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,592.0 left arrow 13.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    572 left arrow 3046
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RAM 1
RAM 2

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