RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Super Talent F24UB16GV 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Super Talent F24UB16GV 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Super Talent F24UB16GV 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
65
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3046
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link