RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Super Talent F24UB16GV 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Super Talent F24UB16GV 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Super Talent F24UB16GV 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
65
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3046
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Super Talent F24UB16GV 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link