RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
24
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.7
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2978
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link