RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
24
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
22
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2978
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link