RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2978
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link