RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
16000
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
24
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.5
Speicherbandbreite, mbps
19200
16000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-16000, 1.2V, TBD1 V, TBD2 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3435
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link