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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
16000
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
24
Por volta de -14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
21
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.5
Largura de banda de memória, mbps
19200
16000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-16000, 1.2V, TBD1 V, TBD2 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3435
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
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