RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
16000
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
24
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
21
Velocità di lettura, GB/s
16.0
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
16000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-16000, 1.2V, TBD1 V, TBD2 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3435
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link