RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
30
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
14.5
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3671
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link