RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3671
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link