RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3671
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link