RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
39
Rund um 38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
14
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2810
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link