RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
39
Por volta de 38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
39
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.3
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2810
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link