RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
39
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
39
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2810
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link