RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.8
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3257
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link