RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
24
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3257
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link