RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3257
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link