RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
50
Rund um 52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
6.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
6.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
25600
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2252
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link