RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
50
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
50
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2252
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link