Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Gesamtnote
star star star star star
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    24 left arrow 33
    Rund um 27% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16 left arrow 15.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.5 left arrow 12.1
    Durchschnittswert bei den Tests
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Einen Fehler melden
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 19200
    Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    24 left arrow 33
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.0 left arrow 15.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.5 left arrow 12.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2925 left arrow 2900
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche