RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2900
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link