RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Panram International Corporation M424051 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Panram International Corporation M424051 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
97
Rund um 75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
5.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation M424051 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
97
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
11.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
5.5
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
1270
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Panram International Corporation M424051 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link