RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Panram International Corporation M424051 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation M424051 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
97
Wokół strony 75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
5.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation M424051 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
97
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1270
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Panram International Corporation M424051 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation M424051 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link