RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Panram International Corporation M424051 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Panram International Corporation M424051 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
97
Около 75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation M424051 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
97
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1270
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Panram International Corporation M424051 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link