RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
24
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
14.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3127
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link