RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
24
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
20
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3127
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link