RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
27
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.9
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.1
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
19.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
17.1
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3829
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link