RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3829
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link