RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3829
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link