RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
42
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
14.8
Скорость записи, Гб/сек
9.4
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2588
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link