RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2588
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link