RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
29
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.9
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3105
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link