RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3105
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
G Skill Intl F5-6000U4040E16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link