RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
32
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.6
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2900
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link