RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
32
Intorno 25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
10.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
32
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2900
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link