RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2900
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link