RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
24
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2476
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link