RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
33
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
6.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR5
Latenzzeit in PassMark, ns
27
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.2
11.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1411
2812
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB RAM-Vergleiche
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation T 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link