RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
25
Rund um -47% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.6
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.7
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
21.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
17.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3702
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link