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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
25
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.6
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.7
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
17
Velocità di lettura, GB/s
16.1
21.6
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
17.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3702
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
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