RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
25
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.6
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
17
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3702
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link