RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
25
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.6
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
17
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3702
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link