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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
25
En -47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.6
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.7
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
17
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
21.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
17.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3702
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Kllisre 8GB
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