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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
27
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
26
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
10.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
8.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1610
1780
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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