Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6

Punteggio complessivo
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    26 left arrow 27
    Intorno 4% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    11.9 left arrow 10.9
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.0 left arrow 7.6
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    26 left arrow 27
  • Velocità di lettura, GB/s
    11.9 left arrow 10.9
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.6 left arrow 8.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1610 left arrow 1780
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