RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,475.5
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
56
Rund um -124% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8800
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,878.3
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,475.5
12.7
Speicherbandbreite, mbps
8800
21300
Other
Beschreibung
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
598
2704
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB RAM-Vergleiche
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link