Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 15.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,475.5 left arrow 12.7
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 56
    Около -124% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 8800
    Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    56 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,878.3 left arrow 15.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,475.5 left arrow 12.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    8800 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    no data left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    598 left arrow 2704
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения